快捷MOSFET提升電池充電和負載開關效能

2012-08-14
快捷(Fairchild)擴大其P通道PowerTrench金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品線。
快捷(Fairchild)擴大其P通道PowerTrench金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品線。

FDMA910PZ和FDME910PZT具備MicroFET MOSFET封裝,尺寸大小為2毫米(mm)×2毫米和1.6×1.6毫米,且具備優異的散熱性能,可使元件完全匹配開關和線性模式應用。在20V額定電壓下,這些元件提供低導通阻抗。 為預防靜電放電 (ESD)失敗,FDMA910PZ 和FDME910PZT裝有優化穩壓二極體保護裝置,這亦令最大額定IGSS洩漏電流從10微安培(μA)降至1μA。

此外,FDMA910PZ和FDME910PZT均不含鹵化物和氧化銻,並為RoHS 相容。兩種裝置均提供低電壓安全運作,並適用於手機和可攜式裝置。

快捷為可攜式技術的半導體供應商,提供豐富的客製化類比和電源IP產品系列,以滿足特定的設計需求。利用將先進的電路技術整合在微型封裝中,快捷為可攜式產品用戶提供了重要的優勢,同時能夠減小設計的尺寸、成本和功耗。 快捷半導體的可攜式IP已獲現今大部分手機採用。

快捷網址:www.fairchildsemi.com

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