安森美(ON Semiconductor)擴充了其N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列，新增12款100伏特元件，安森美半導體經過完備測試的N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體提供高達500毫焦耳(mJ)的業界領先雪崩額定值，非常適用於要顧慮因非鉗位電感型負載引致過度電壓應力的設計。
安森美(ON Semiconductor)擴充了其N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列，新增12款100伏特元件，安森美半導體經過完備測試的N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體提供高達500毫焦耳(mJ)的業界領先雪崩額定值，非常適用於要顧慮因非鉗位電感型負載引致過度電壓應力的設計。
安森美半導體這些100伏特功率金屬氧化物半導體場效電晶體元件的典型應用包括工業電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃氣噴射(DGI)，這些無鉛元件，符合RoHS指令，關鍵的規範特性包括：導通阻抗(RDS(on))低至13毫歐、電流能力高達76安培、經過100%雪崩測試、通過AEC-Q101標準認證
安森美半導體金屬氧化物半導體場效電晶體產品部副總裁兼總經理Paul Leonard說，為了應對開關電感型負載時潛在的大電壓尖峰，以及推動更高能效，安森美半導體的N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體提供強固及可靠的方案，安森美半導體100 伏特產品系列新增的元件為客戶提供更多的選擇，幫助他們獲得適合他們特定應用的最佳元件。
安森美半導體網址：www.onsemi.com