英飛凌科技宣布已與快捷半導體就專利侵權訴訟達成和解，英飛凌於 2008 年 11 月在美國德拉瓦州地方法院提出訴訟，本訴與反訴牽涉十四項專利，範圍涵蓋超接面(super-junction)功率電晶體以及溝槽式功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和IGBT 功率電晶體。
英飛凌科技宣布已與快捷半導體就專利侵權訴訟達成和解，英飛凌於 2008 年 11 月在美國德拉瓦州地方法院提出訴訟，本訴與反訴牽涉十四項專利，範圍涵蓋超接面(super-junction)功率電晶體以及溝槽式功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和IGBT 功率電晶體。
這起訴訟已透過廣泛的半導體技術專利交互授權達成和解，根據協議，快捷半導體必須支付英飛凌費用，但具體協議內容保密，英飛凌與快捷半導體將通知美國德拉瓦州地方法院雙方已達成和解協議，並將提請撤案。
英飛凌為全球半導體產業牛耳，目前正與多家半導體廠商進行討論專利授權事宜，英飛凌認為這類討論是為永續保護所屬智慧財產權與商業利益的必要策略。
英飛凌網址：www.infineon.com