國際整流器(IR)推出新款的 PQFN 2毫米(mm)×2毫米封裝，且配合IR最新的HEXFET MOSFET矽技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝錄機、數位相機、筆記本電腦、伺服器和網路通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
國際整流器(IR)推出新款的 PQFN 2毫米(mm)×2毫米封裝，且配合IR最新的HEXFET MOSFET矽技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝錄機、數位相機、筆記本電腦、伺服器和網路通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
新款的PQFN2×2元件分別適用於20、25 和30伏特(V)，還有標準或邏輯水平柵極驅動器選擇。這些元件只需要4毫米的占位空間，並採用IR最新的低電壓 N-通道和P-通道矽技術，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3×3.3或PQFN5×6封裝的高功率密度。
IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示，IR的新型PQFN2×2元件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也滿足客戶的需求，進一步縮小的封裝尺寸，結合基準矽技術。這些新元件不但擁有超小尺寸和高密度，更非常適合與高度數位化內容相關的應用。
這個PQFN2x2系列包括為負載開關的高側而優化的P-通道元件，帶來一個更簡單的驅動解決方案。同時，新元件的厚度少於1毫米，使它們與現有的表面黏著技術兼容，並且擁有行業標準的占位空間，還符合電子產品有害物質限制指令(RoHS)。
國際整流器網址：www.irf.com