英飛凌(Infineon)宣布推出採用先進溝槽技術製程的最新單一P通道40伏特(V)汽車電源金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品。新型40伏特OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少二氧化碳排放及節省成本設立新的基準。
英飛凌(Infineon)宣布推出採用先進溝槽技術製程的最新單一P通道40伏特(V)汽車電源金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品。新型40伏特OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少二氧化碳排放及節省成本設立新的基準。
英飛凌新型P通道40伏特MOSFET系列產品具備業界最低的RDS(on)，並提供電流範圍50～180安培(A)的各種標準封裝方式，衍生出三十多款系列產品。180安培是P通道技術發展的一項標竿。由於P通道40伏特OptiMOS P2產品是用作汽車橋式應用產品的高壓側開關，因此不需要額外的電荷泵裝置，可大幅節省成本並提升電磁干擾(EMI)效能。新產品整合脈衝寬頻調變(PWM)控制功能，相較於N通道MOSFET，具備更佳的散熱與雪崩能量表現，因此非常適用於電池反接保護及汽車馬達控制應用，例如電子動力轉向系統(EPS)馬達控制、三相與H型橋式(H-bridge)馬達(雨刷、電子式駐煞車)，以及電動泵。
基於成本與效能上的優勢，業界趨勢明顯地朝向溝槽式MOSFET概念發展。以英飛凌第二代溝槽技術為基礎，OptiMOS P2具備低閘極電荷、低電容、低切換損失、高電流及絕佳的優值數規格，為電動馬達提供更高的效能，還能將電磁相容(EMC)降至最低。
英飛凌網址：www.infineon.com