意法半導體(ST)的新系列場效應整流二極體(FERD) 完美解決了低正向壓降(VF)與低漏電流(IR)之間不可兼得的矛盾關係，讓充電器和筆記型電腦轉換器等設備的設計人員在不使用成本更高的同步整流二極的前提下滿足要求最嚴格的能效標準。
意法半導體(ST)的新系列場效應整流二極體(FERD) 完美解決了低正向壓降(VF)與低漏電流(IR)之間不可兼得的矛盾關係，讓充電器和筆記型電腦轉換器等設備的設計人員在不使用成本更高的同步整流二極的前提下滿足要求最嚴格的能效標準。
在特定封裝散熱性能下，因為正向電壓降更低，漏電流處理得更好，意法半導體技術提高了封裝的輸出電流容量。新產品擁有許多優勢，例如加快智慧型手機和平板電腦的充電速度，縮減筆記型電腦充電器的尺寸和重量，由於場效應整流二極體的工作溫度更低，有助於延長產品使用壽命。
FERD技術還非常適用於其它設備和系統，例如汽車應用中的飛輪(Freewheeling)二極體或電池反接保護；電信電源中的OR-ing二極體；工業系統中的整流二極體，為滿足不同市場的需求，該系列產品提供各種額定電壓和電流的場效應整流二極體供用戶選擇。
意法半導體網址：www.st.com