英飛凌CoolSiC 1200V SiC JFET提升太陽能逆變器效率

2012-05-14
英飛凌(Infineon)於PCIM Europe 2012展覽中宣布推出最新CoolSiC 1200V SiC JFET系列,進一步強化英飛凌在碳化矽(SiC)市場的領先地位。此一革命性的全新產品系列展現英飛凌在 SiC 技術研發領域超過10年的經驗,同時擁有高品質、可大量生產的特點。
英飛凌(Infineon)於PCIM Europe 2012展覽中宣布推出最新CoolSiC 1200V SiC JFET系列,進一步強化英飛凌在碳化矽(SiC)市場的領先地位。此一革命性的全新產品系列展現英飛凌在 SiC 技術研發領域超過10年的經驗,同時擁有高品質、可大量生產的特點。

英飛凌高壓功率轉換產品部門主管Jan-Willem Reynaerts表示,英飛凌一直以來持續針對需要高效率功率管理的市場推出革命性技術。此次推出的CoolSiC同樣也是具革命性、高度創新的技術,尤其能讓太陽能逆變器的效能達到新的水準。運用英飛凌最新的SiC JFET技術,客戶便能進一步打造未來拯救氣候的解決方案。

相較於絕緣閘雙極性電晶體(IGBT),全新的CoolSiC 1200V SiC JFET大幅降低切換耗損,可應用更高的切換頻率,不需犧牲系統整體的效率。因此能夠使用體積更小的被動元件,進一步縮小整體解決方案的體積與重量,並降低系統成本。換句話說,該解決方案能夠讓相同體積的逆變器達到更高的輸出功率。

英飛凌網址:www.infineon.com

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