氮化鎵(GaN)功率元件正在突破傳統功率電子技術的限制，相較於矽基解決方案，它具有更快的開關速度、更低的能耗和更緊湊的設計。英商劍橋氮化鎵元件有限公司(CGD)自研的單晶片ICeGaN技術簡化了GaN元件在現有和新興設計的應用，也將效率水準提升至99%以上，可為電動車和資料中心電源等高功率應用節省50%的能源。這項創新技術可望每年減少數百萬噸的二氧化碳排放，並憑藉ICeGaN技術固有的易用性，為全球進一步邁向永續能源系統提供強勁動力。
GGD創辦人兼執行長(CEO)Giorgia Longobardi博士表示，本輪融資對CGD而言是一個里程碑式的突破。CGD將繼續推動高能效氮化鎵(GaN)解決方案變革及功率電子行業的可持續發展。現在CGD已準備加速成長，大幅降低多個領域的能源消耗。CGD期待與策略投資者合作，進一步拓展汽車市場。
全球氮化鎵(GaN)功率元件市場預計將以41%的年複合成長率(CAGR)高速成長，到2029年市場規模將達到20億美元。同時，ICeGaN技術將成為碳化矽(SiC)解決方案的可行替代方案，它結合了高能源效率、小型化和單晶片整合的智慧功能。這將使CGD在2029年有機會進入超過100億美元的高功率市場。憑藉其技術和市場地位，CGD已做好充分準備迎接市場的快速擴張。CGD已成功獲得業界客戶的青睞，並持續展現出其提供可靠且具影響力解決方案的能力，推動產業創新。
CGD全球銷售資深副總裁Henryk Dabrowski表示，CGD很高興看到這筆融資能支持CGD更快地交付已簽署客戶訂單的最新一代P2產品。這項融資將大大提升CGD的能力，並滿足市場對高可靠且易用的GaN解決方案快速成長的需求。
憑藉全球專家團隊、數十年的研究經驗以及持續創新的氮化鎵GaN技術，CGD將持續提供能提升日常電子產品性能的解決方案。隨著全球電氣化和永續發展進程的加快，CGD在GaN技術領域的地位為降低能源消耗和成本，減少環境影響提供了路徑。透過打造高效、小巧且高效能的功率元件，CGD正在為永續功率電子產業樹立新標準。
本輪融資將協助CGD在英國劍橋、北美、台灣和歐洲其他區域拓展業務，並向不斷成長的客戶提供獨特的價值主張。這筆重要的融資將推動CGD成長，專注於持續向高功率工業、資料中心和汽車市場提供高效GaN產品。
Parkwalk Advisors首席投資官John Pearson表示，CGD正處於技術前沿，能有效降低人工智慧和電動車等高速成長產業能源消耗。CGD擁有巨大的全球潛力和廣泛的應用前景，這將推動公司持續創新和成長。自2019年以來，Parkwalk一直支持CGD，很高興能與這樣一支優秀的團隊及其他投資者合作，加速其全球擴張。
British Patient Capital深科技部門董事、直接投資與共同投資負責人George Mills表示，經過多年研究，CGD已經成功驗證了其半導體技術的影響力。與傳統的矽基裝置相比，CGD的氮化鎵(GaN)裝置能耗更低，既降低了成本，又對環境帶來了積極影響。這是一項極具價值的技術，現在需要長期資本來實現規模化發展。