英飛凌科技透過其子公司英飛凌科技(奧地利)股份有限公司，對英諾賽科(珠海)科技有限公司、英諾賽科美國公司及其關聯企業(下稱：英諾賽科)提出訴訟。英飛凌正在就其侵犯英飛凌擁有的一項與氮化鎵(GaN)技術有關的美國專利尋求永久禁制令。該專利範圍涉及了氮化鎵功率半導體的核心領域，包括實現英飛凌專有GaN元件可靠性和性能的創新技術。該訴訟案於美國加州北區聯邦地區法院提出。
英飛凌指控英諾賽科生產、使用、銷售、要約銷售和/或向美國進口各種產品，包括：用於汽車、資料中心、太陽能、馬達驅動、消費電子產品等多種應用的氮化鎵電晶體，以及用於汽車、工業和商業應用的相關產品，侵犯了英飛凌的上述專利。
英飛凌電源及感測系統事業部總裁Adam White指出，氮化鎵功率電晶體的生產需要完全新的半導體設計和製造工藝。英飛凌擁有近二十年在氮化鎵領域的經驗，能夠確保滿足各種終端產品達到最高效能所需的卓越品質。我們積極地保護我們的智財權，從而能夠符合所有客戶及終端客戶的利益。數十年來，英飛凌一直致力於氮化鎵技術相關的研發、產品開發和製造專業方面的投資。英飛凌將繼續捍衛其智財並保護其投資。
2023年10月24日，英飛凌宣布完成對GaN Systems公司的收購。英飛凌擁有約350個氮化鎵技術專利家族，進一步擴展了在功率半導體領域的領先優勢。市場分析師預估，至 2028 年，用於功率應用的氮化鎵營收將以年複合成長率49%的速度成長，達到約20億美元。(資料來源：Yole，Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market MonitorQ4 2023)。
氮化鎵是一種寬能隙半導體，具有優異切換效能，可以實現體積更小、效率更高、成本更低的電源系統。