全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器(IR)，近日擴展HEXFETR功率的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品系列，提供完整的中壓元件陣營，採用5毫米(mm)×6毫米PQFN封裝，並具有經過最佳化的銅夾和焊接晶片技術。
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器(IR)，近日擴展HEXFETR功率的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品系列，提供完整的中壓元件陣營，採用5毫米(mm)×6毫米PQFN封裝，並具有經過最佳化的銅夾和焊接晶片技術。
這些新型功率場效電晶體採用了國際整流器最新的矽技術，能夠提供開關應用所需要的標準效能，適用於網路和電信設備的直流對直流(DC-DC)轉換器、交流對直流(AC-DC)開關電源(SMPS)及馬達驅動開關。由於這些元件能夠支援40伏特(V)到250伏特的寬廣電壓，所以能夠提供不同水平的通態電阻(RDS(on))和閘極電荷(Qg)，為客戶的特定應用提供最佳化效能和體現更低的成本。各款元件皆具有低熱阻(少於0.5°C/W)，又符合MSL1標準，採用的環保材料既不含鉛、溴或鹵，也符合有害物質管制指令(RoHS) 。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示，這些新型元件的大小只有0.9毫米，並且具有標準接腳，可以提供高額定電流和低通態電阻。相較於需要採用多個並行元件的解決方案，它們具有更高的效率、功率密度和可靠性，相當適合電路板空間狹小的開關應用。
國際整流器網址：www.irf.com