德州儀器(TI)近日拓展其高壓電源管理產品組合，推出適用於汽車及工業應用的650V及600V氮化鎵場效電晶體(GaN FET)，整合快速開關的2.2MHz閘極驅動器，相較於既有解決方案，其能協助工程師實現電源密度加倍、效率高達99%，且電磁尺寸縮小59%。
TI運用特殊氮化鎵及矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板技術，研發最新場效應電晶體(FET)，在成本與供應鏈方面均優於碳化矽等其他基板材質。
汽車電氣化正顛覆汽車產業，消費者也希望充電能更快速、續航力更長，故工程師必須設計出體積更小、重量更輕的車載系統。有了 TI 最新的車用 GaN FET，相較於矽或碳化矽解決方案，電動車車載充電器和DC/DC轉換器尺寸可減半，進而延長電池續航力、提升系統可靠度、降低設計成本。在工業設計中，AC/DC 供電應用(如5G電信整流器、伺服器電源供應器)重視低損耗及縮減的電路板面積，新裝置可達到高效率及電源密度要求。