全球功率半導體和管理方案廠商國際整流器(IR)，推出全新HEXFET功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列，採用業界標準SOT-23封裝，並提供超低導通電阻(RDS(on))，適用於電池充電及放電開關、系統和負載開關、輕負載馬達驅動及電訊器材等應用。
全球功率半導體和管理方案廠商國際整流器(IR)，推出全新HEXFET功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列，採用業界標準SOT-23封裝，並提供超低導通電阻(RDS(on))，適用於電池充電及放電開關、系統和負載開關、輕負載馬達驅動及電訊器材等應用。
新款的SOT-23 MOSFET元件採用國際整流器最新的中電壓矽技術，藉著把RDS(on)大幅減低90%來顯著改善電流處理，為客戶的特定應用優化性能及價格。新元件達到第一級濕度感應度(MSL1)業界標準，採用的材料不含鉛，並符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)。
國際整流器亞太區銷售副總裁潘大偉表示，這個全新的SOT-23 MOSFET系列，覆蓋由-30～+100伏特(V)的廣闊電壓範圍，並且提供不同水平的RDS(on)及閘電荷(Qg)，為追求精密、高效率及低成本解決方案的客戶，帶來更佳、更廣泛的設計選擇。
國際整流器網址：www.irf.com