英飛凌科技股份有限公司於2024年7月23日在美國加州北區地方法院，對英諾賽科(珠海)科技有限公司、英諾賽科美國公司及其關聯企業(以下簡稱：英諾賽科)在現有訴訟基礎上，提出了追加訴訟，指控其侵犯了英飛凌擁有的另外三項與氮化鎵(GaN)技術相關的專利。此外，英飛凌今日還向美國國際貿易委員會(ITC)提出申訴，就此訴訟所涉的四項專利提出法律索賠。
英飛凌正在尋求美國專利侵權永久禁令，以保護其擁有的氮化鎵(GaN)技術不受侵犯。這些專利涵蓋了GaN功率半導體的核心技術，包括提高英飛凌專有GaN功率電晶體高性能和可靠性的創新技術。
早在2024年3月14日，英飛凌已在美國加州北區地方法院對英諾賽科提起了專利侵權訴訟，並於2024年6月4日向德國慕尼黑地方法院提起相應訴訟，同時對英諾賽科德國分銷商提起了其他訴訟。此外，英飛凌亦成功申請了一項臨時禁令(法院命令)，該禁令由慕尼黑地方法院於2024年6月12日發佈。根據這項法院命令，英諾賽科必須將所有侵權產品從其在PCIM Europe的展位移除。
英飛凌擁有超過350個氮化鎵技術專利家族，在業界處於領先地位。隨著2023年10月英飛凌完成對GaN Systems 的收購，其矽基、碳化矽、氮化鎵功率電晶體及其相應的驅動器和控制器產品組合均得到了顯著增強。此次收購不僅豐富了英飛凌的GaN產品系列，還進一步鞏固了其在功率半導體領域的領先地位。