MOSFET 國際整流器 RoHS MSL1 RDS IR

IR推出-30V電壓/P-通道功率MOSFET

2010-09-24
國際整流器(IR)推出新-30V元件系列,採用SO-8封裝P–通道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)矽元件,適用於電池充電和放電開關,以及直流應用的系統/負載開關。  
國際整流器(IR)推出新-30V元件系列,採用SO-8封裝P–通道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)矽元件,適用於電池充電和放電開關,以及直流應用的系統/負載開關。  

新款的P–通道元件提供從4.6~59毫歐姆(mΩ)的導通電阻,來配合各類型的功率要求。P–通道MOSFET免除使用電平轉換或充電泵電路,成為理想的系統/負載開關應用解決方案。 IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示,相比上一代的產品,這個新型SO-8 P–通道MOSFET系列改善電流處理,更為客戶提供廣泛的導通電阻(RDS)選擇,配合溫度和成本的要求。同時,P–通道技術也可以簡化電路設計。  

P–通道MOSFET元件達到第一級濕度感應度(MSL1)標準,不含鉛且符合產品有害物質管制規定(RoHS)標準。  

國際整流器網址:www.irf.com

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