英飛凌(Infineon)正式推出革命性的碳化矽(SiC)MOSFET技術，讓產品設計達到前所未有的功率密度和效能水平。英飛凌的CoolSiC MOSFET在提升效率與頻率上，提供更高的靈活度，協助功率轉換配置的開發人員達到節省空間和重量、減少冷卻需求、提升可靠性並縮減系統成本。
英飛凌(Infineon)正式推出革命性的碳化矽(SiC)MOSFET技術，讓產品設計達到前所未有的功率密度和效能水平。英飛凌的CoolSiC MOSFET在提升效率與頻率上，提供更高的靈活度，協助功率轉換配置的開發人員達到節省空間和重量、減少冷卻需求、提升可靠性並縮減系統成本。
英飛凌工業電源控制事業處總裁Helmut Gassel博士表示，二十多年以來，英飛凌一直是開發SiC解決方案的先鋒，以滿足節能、精簡體積、系統整合和提升可靠度的需求。該公司的肖特基二極體與J-FET技術讓設計人員得以超越傳統矽的限制，達到更高的功率密度和效能，英飛凌的SiC元件已經被用於數以百萬計的產品當中。此策略現更向前邁出一大步，將功率MOSFET整合，讓SiC技術發揮更多優勢，這是以前無法實現的事。
英飛凌同時推出採用SiC MOSFET技術的1200V Easy1B半橋式與升壓器模組，由於結合了PressFIT連線與良好的散熱介面、極低的離散電感與堅固設計，因此每個模組皆提供11mΩ和23mΩ兩種額定RDS(ON)選項。
英飛凌網址:www.infineon.com