安森美半導體(ON Semiconductor)與Transphorm宣布共同開發並推廣基於氮化鎵(GaN)的產品和電源系統方案，用於工業、電腦、電信及網路領域的各種高壓應用。
安森美半導體(ON Semiconductor)與Transphorm宣布共同開發並推廣基於氮化鎵(GaN)的產品和電源系統方案，用於工業、電腦、電信及網路領域的各種高壓應用。
安森美半導體標準產品部執行副總裁兼總經理賀彥彬表示，安森美瞭解GaN技術可帶給功率電子市場的固有優勢，非常高興與這領域公認的領袖合作，這項新的重要合作，在策略上結合了雙方的電源系統方案實力及GaN專業知識和技術。
Transphorm首席執行長Fumihide Esaka表示，與安森美半導體合作，將為Transphorm客戶提供更完整基於GaN的產品及方案。藉由雙方的合作不僅對加快GaN的市場滲透具有重要作用，並對整個電源轉換行業意義深刻。
首批共同開發的基於600伏特(V)GaN晶體管方案，預計將於2014年底前開始提供樣品。這些方案將用於200～1000瓦(W)功率範圍的高功率密度應用，可用於電信及伺服器市場的精巧型電源。
根據合作條款，共同開發的封裝晶體管產品將包括安森美半導體用於共源共柵(Cascoded)開關的低壓金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)矽片，及Transphorm的GaN高壓高電子遷移率電晶體(HEMT)。這些設備將在安森美半導體的製造廠聯合封裝、組裝及測試。
安森美半導體網址：www.onsemi.com