意法半導體推出EVSTDRVG611MC氮化鎵(GaN)馬達控制參考設計，適用於家用電器與工業驅動系統，在無需散熱器的情況下即可承受超過600W功率，有助於縮小系統尺寸並降低製造成本。
此參考設計提供完整板卡，可直接上電評估使用，整合ST的STDRIVEG611 GaN驅動IC、離散式GaN功率電晶體，以及混合訊號STM32G431微控制器。相關物料清單(BOM)、電路圖，以及108mm x 110mm雙層板的Gerber檔案，皆可於st.com下載取得。
ST的氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)與驅動IC，已讓充電器、電源轉接器與伺服器電源供應器在效率與功率密度上突破矽技術的限制。EVSTDRVG611MC參考設計所採用的STDRIVEG611閘極驅動器，針對硬切換應用進行設計，有助於將GaN技術應用於馬達控制。搭配650V、75mΩ的離散式GaN功率電晶體，此板卡可協助家電設計人員達成更高的能源效率等級、縮小電子模組尺寸，並提升系統可靠度。
EVSTDRVG611MC連接直流電源時，無需散熱器即可支援600W以上功率；若加裝散熱器，則可進一步提升最大功率能力，為洗衣機等家電，以及工業伺服驅動器與其他無刷直流(BLDC)馬達應用提供更具彈性的功率範圍。STDRIVEG611驅動器採用5mm x 4mm的QFN封裝，尺寸精巧；而STM32系列的STM32G431微控制器則整合三組類比放大器，可支援三分流(3-shunt)電流感測，有助於控制物料成本。其Arm Cortex-M4核心可於高轉速下即時執行複雜控制演算法。
工程師可使用ST Motor Control Workbench快速評估EVSTDRVG611MC板卡，並開始開發應用。Workbench內含馬達分析等工具，可用於建立新專案；也提供效能監測功能，輔助開發作業，並可自動產生韌體，加快產品上市時程。使用者可在無感測器或有感測器模式下採用磁場導向控制(FOC)，透過霍爾感測器、增量式或絕對式編碼器等多種回授選項，完成平順且精準的動作控制。