Ramtron發表業界第一款400萬位元FRAM記憶體FM22L16，為密度較高的FRAM產品，容量為既有FRAM記憶體的4倍。 FM22L16採44接腳、薄型小尺寸塑膠 TSOP封裝的3伏特、4Mb並列式非揮發性隨機存取記憶體，具備高存取速度、幾乎無上限的讀/寫次數、以及低功耗等優點；其與非同步靜態隨機存取記憶體(SRAM)腳位相容，並適用於諸如機器人、網路和資料儲存應用、多功能事務機、自動導航系統，以及許多以SRAM為基礎的系統設計工業控制系統。
Ramtron發表業界第一款400萬位元FRAM記憶體FM22L16，為密度較高的FRAM產品，容量為既有FRAM記憶體的4倍。 FM22L16採44接腳、薄型小尺寸塑膠 TSOP封裝的3伏特、4Mb並列式非揮發性隨機存取記憶體，具備高存取速度、幾乎無上限的讀/寫次數、以及低功耗等優點；其與非同步靜態隨機存取記憶體(SRAM)腳位相容，並適用於諸如機器人、網路和資料儲存應用、多功能事務機、自動導航系統，以及許多以SRAM為基礎的系統設計工業控制系統。
FM22L16為256K×16之非揮發性記憶體，以工業標準並列式介面進行存取，存取時間為55奈秒、週期為110奈秒。該元件以無延遲 (Nodelay)寫入之匯流排速度進行讀寫操作，具備至少100兆次寫入的耐久性及10年資料保存能力。
400萬位元 FRAM是標準非同步SRAM的直接替代元件，並具高性能，由於其進行資料備份時不需電池，並且為單晶構型，因此具備更高可靠性。FM22L16是表面黏著解決方案，與SRAM不同的是，其不需與電池相連，不需重寫步驟，並具備高度耐潮濕、抗衝擊和振動特性。
透過與目前高效能微處理器連接的介面，FM22L16的高速頁面模式可達40MHz的速度進行4位元組突發讀/寫操作，匯流排速度高於傳統的隨機存取記憶體。該元件較標準SRAM具備更低的工作電流，讀/寫操作時為18毫安培，在超低電流睡眠模式下僅為5微安培。FM22L16能於-40～+85℃工業溫度範圍內於2.7～3.6伏特電壓工作。
Ramtron網址：www.ramtron.com