Diodes推出自我保護式低端MOSFET

2008-12-31
Diodes擴展其IntelliFET產品系列,推出全球最小的完全自我保護式低端MOSFET。該ZXMS6004FF元件採用2.3毫米×2.8毫米的扁平式SOT23F封裝,比其他採用7.3毫米×6.7毫米SOT223封裝的大型元件節省85%的電路板空間。扁平式SOT23F封裝雖然小巧,但熱性能卻相當強勁。憑著該優點,ZXMS6004FF的封裝功率密度是同類採用較大封裝元件的三倍。此外,這款IntelliFET元件的通態電阻只有500毫歐姆,能將功耗控制在絕對最低值。  
Diodes擴展其IntelliFET產品系列,推出全球最小的完全自我保護式低端MOSFET。該ZXMS6004FF元件採用2.3毫米×2.8毫米的扁平式SOT23F封裝,比其他採用7.3毫米×6.7毫米SOT223封裝的大型元件節省85%的電路板空間。扁平式SOT23F封裝雖然小巧,但熱性能卻相當強勁。憑著該優點,ZXMS6004FF的封裝功率密度是同類採用較大封裝元件的三倍。此外,這款IntelliFET元件的通態電阻只有500毫歐姆,能將功耗控制在絕對最低值。  

ZXMS6004FF把靜電釋放、過壓、過電流與過溫保護功能整合於一個高熱效封裝,為元件本身及負載提供完善保護,並有效減少元件數目、PCB尺寸和系統的整體成本,能滿足不同汽車及工業應用需求。該元件極為小巧,成功的將自保護式MOSFET結合於空間有限應用。

該元件額定連續電流為1安培,並已通過AECQ101品質標準,能承受60伏特負載突降變化。其邏輯水準輸入為3.3伏特或5伏特,可直接以微控制器輸出來驅動。  

Diodes網址:www.diodes.com  

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