德州儀器(TI)宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mÙ場效應電晶體(FET)功率級工程樣本，進而使TI成為首家、也是唯一能夠向大眾供應高壓驅動器整合的GaN解決方案的半導體廠商。與基於矽材料FET的解決方案相比，這款全新的12-A LMG3410功率級與TI的類比和數位電力轉換控制器組合在一起，能讓設計人員開發出尺寸更小、效率及效能皆更高的設計。這些優勢在隔離式高壓工業、電信、企業級運算和再生能源的應用中特別重要。
德州儀器(TI)宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mÙ場效應電晶體(FET)功率級工程樣本，進而使TI成為首家、也是唯一能夠向大眾供應高壓驅動器整合的GaN解決方案的半導體廠商。與基於矽材料FET的解決方案相比，這款全新的12-A LMG3410功率級與TI的類比和數位電力轉換控制器組合在一起，能讓設計人員開發出尺寸更小、效率及效能皆更高的設計。這些優勢在隔離式高壓工業、電信、企業級運算和再生能源的應用中特別重要。
TI高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示，透過3百萬小時以上的可靠度測試，LMG3410讓電源設計人員能夠充滿信心地實現GaN的無限潛能，並且透過以往無法實行的方法重新思考他們的電源架構和系統。奠基於TI在生產製造以及廣泛的系統設計專業能力，全新的功率級對整個GaN市場來說是相當重要的一步。
LMG3410借助其整合式驅動器和零反向恢復電流等特性提供可靠的效能，特別是在硬開關(Hard-switching)應用中更是如此，並能夠大幅地降低高達80%的開關損耗。與獨立的GaN FET不同，容易上手的LMG3410針對溫度、電流和欠壓閉鎖(UVLO)的故障保護整合了內建智慧機制。
德州儀器網址:http://www.ti.com.cn