Microchip Technology宣布推出全新3.3 kV HV-D3 mSiC功率模組，專為加速AI超大規模資料中心與其他高電壓電力應用導入固態變壓器(Solid-State Transformer, SST)而設計。新模組於業界標準62 mm封裝中整合3.3 kV碳化矽(SiC)mSiC MOSFET與蕭特基二極體，可實現從中壓電網直接向伺服器機櫃提供高效率電力傳輸。
隨著AI資料中心持續擴大規模，AI token生成能力正逐漸受到供電能力限制，而能源效率也成為投資報酬率的關鍵因素。傳統採用大型低頻變壓器的電力架構，不僅增加系統複雜度與能量損耗，也限制了系統彈性。固態變壓器則代表電力傳輸架構的重大轉變，可減少電力轉換級數並提升整體系統效率。隨著新一代AI資料中心逐步採用更高電壓的直流機櫃配電架構，SST的價值也更加凸顯，可透過更少的轉換級數，直接將中壓電網轉換為穩定直流電供應機櫃使用。
Microchip的HV-D3 mSiC模組正是針對這類需求所打造。該模組採用Microchip mSiC MOSFET技術，可在寬溫度範圍內維持極具競爭力的RDS(on)穩定性，並搭配支援6 kV絕緣能力的封裝設計，採用符合CTI 600等級的材料，並具備加大爬電距離設計，以支援高電壓操作下的安全串聯應用。模組同時採用氮化矽(Si₃N₄)基板，可提升熱傳導效能與功率循環能力，協助設計人員在降低散熱需求的同時實現更高功率密度。
Microchip高功率解決方案事業單位副總裁Clayton Pillion表示：「隨著AI資料中心持續挑戰從電網到GPU的供電極限，固態變壓器的重要性也日益提升。我們的3.3 kV HV-D3 mSiC功率模組，相較於較低電壓的SiC解決方案，在連接13.8 kV或34.5 kV電網時，可將所需串聯元件數量大幅減少約一半。此外，這些元件也補足工業市場中100–300A產品的關鍵缺口，銜接分離式SiC元件與大型功率模組之間的應用需求。」
HV-D3 mSiC功率模組提供半橋與共源(common-source)架構版本，並提供含或不含反向並聯蕭特基二極體的選項，可支援100–300A應用需求。Microchip的mSiC MOSFET技術可在硬切換(hard-switched)與軟切換(soft-switched)拓撲中提供平衡的切換損耗表現，使其非常適合SST與其他高頻、高電壓系統應用。
除了針對AI資料中心中的固態變壓器進行最佳化外，HV-D3 mSiC功率模組亦適用於多種高功率應用，包括重型車輛的百萬瓦充電基礎設施、軌道與重型運輸系統的輔助電源、中壓馬達驅動器，以及工業與國防電力系統。這些應用皆可受惠於其高絕緣能力、優異熱穩定性與高效率電力轉換特性。
Microchip在SiC元件與功率解決方案的開發、設計、製造與技術支援方面擁有超過20年經驗，協助客戶以更簡單、更快速且更具信心的方式導入SiC技術。公司mSiC系列產品與解決方案可協助客戶降低系統成本、縮短上市時間並降低設計風險。Microchip提供完整且彈性的SiC二極體、MOSFET與閘極驅動器產品組合。