瑞薩電子(Renesas)宣布將推出12款旗艦型低功率靜態隨機存取記憶體(SRAM)新產品，新款記憶體裝置具有4Mb密度，並採用電路線寬僅110奈米(nm)的精密製程技術。
瑞薩電子(Renesas)宣布將推出12款旗艦型低功率靜態隨機存取記憶體(SRAM)新產品，新款記憶體裝置具有4Mb密度，並採用電路線寬僅110奈米(nm)的精密製程技術。
即將推出的先進低功率SRAM系列，具有與瑞薩現有採用150nm製程之SRAM產品相同的高可靠性，包括無軟體錯誤及無閂鎖。這些產品可在標準電流2微安培(µA)、25°C下達到低功率運作，適合用於以電池備份之裝置中的資料儲存。
近來由於製造商系統已達到更高的效能與更先進的功能，SRAM已成為提升整體系統可靠性的重要因素，特別是用於儲存重要資訊如系統程式與帳單資料的SRAM，必須提供高水準的可靠性。瑞薩的低功率SRAM已在多種領域獲得廣泛的採用，包括工業、辦公室、通訊、汽車及消費性產品。
瑞薩電子網址：www.tw.renesas.com