英飛凌(Infineon)宣布推出兩款全新功率模組平台，提升1200伏特(V)至6.5仟伏特(kV)電壓等級中高壓絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)的效能。為讓更多廠商享有此全新模組的效益，英飛凌以免權利金的方式，授權此設計給所有IGBT功率模組供應商。
英飛凌(Infineon)宣布推出兩款全新功率模組平台，提升1200伏特(V)至6.5仟伏特(kV)電壓等級中高壓絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)的效能。為讓更多廠商享有此全新模組的效益，英飛凌以免權利金的方式，授權此設計給所有IGBT功率模組供應商。
英飛凌工業電源控制事業處高功率部門協理 Markus Hermwille 表示，IGBT技術面臨的挑戰持續增加，英飛凌很高興能推出新的封裝技術，滿足業界當前與可預見未來的需求。英飛凌非常肯定所有高功率應用都能因為這項全新模組封裝技術大為獲益。英飛凌的目標是供應大量可靠的全新高功率平台，因此邀請業界共享利用這項設計成果。
可靠且高效能的IGBT模組是工業與牽引式馬達、風力與太陽能發電系統以及長距離電力傳輸等電力切換的主要技術。經過三十年的運用，晶片技術發展使IGBT僅須小幅調整標準封裝技術，就能達到更高的能源效率，符合更高的運作溫度需求，並同時達到縮減尺寸、提升可靠性，及降低成本的目標。隨著各種應用的需求持續提升、環境益發嚴苛，上述方法已達到極限，使得高功率模組封裝技術的改變成為持續提升效能的關鍵。
英飛凌網址：www.infineon.com