美國國際貿易委員會(ITC)全體委員會維持了其在2025年12月作出的初步裁定，認定英諾賽科(Innoscience)侵犯了英飛凌關於氮化鎵(GaN)技術的一項專利，並對英諾賽科下達進口與銷售禁令。最終裁決及上述禁令仍需接受美國總統60天的審查期。
英飛凌資深副總裁暨GaN系統事業線負責人Johannes Schoiswohl表示：「此項裁決再次凸顯英飛凌在智慧財產權方面的堅實基礎，也重申了我們積極捍衛英飛凌專利組合並維護市場公平競爭的承諾。憑藉我們業界領先的300毫米GaN製造能力，我們在規模化創新方面具有獨特優勢，能夠為客戶帶來性能、品質與成本上的顯著競爭力，助力加速低碳化與數位化進程。」
此項裁決是英飛凌在GaN技術領域貢獻價值的又一次積極肯定。此外，在德國進行的相關訴訟中，英飛凌於慕尼黑第一地方法院(Landgericht München I)主張英諾賽科侵犯其三項專利與一項實用新型專利。早在2024年8月，慕尼黑法院就已裁定英諾賽科侵犯了英飛凌指控的第一項專利。關於另一項專利及一項實用新型專利的審理將於2026年6月舉行。
英飛凌是GaN市場中領先的整合元件製造商(IDM)，擁有業界最廣泛的智慧財產組合，包含約450個GaN專利家族。GaN在實現高效能、節能的電源系統方面扮演關鍵角色，應用領域涵蓋再生能源系統、AI資料中心、工業自動化以及電動車等。憑藉更高的功率密度、更快的切換速度與更低的功率損耗，GaN半導體能實現更小型化的設計，降低能耗與熱量產生。作為電源系統的領導者，英飛凌在矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)這三種關鍵半導體材料領域都處於產業領先地位，並持續推動技術進步。