Ramtron宣布已開始供應全新4-～ 64Kb串列非揮發性鐵電記憶體(F-RAM)的預認證樣品，新產品於Ramtron在美國的新晶圓供應源以鐵電記憶體製程生產，具有1萬億次 (1e12)的讀/寫週期、低功耗和無延遲(NoDelay)寫入等特性。
Ramtron宣布已開始供應全新4-～ 64Kb串列非揮發性鐵電記憶體(F-RAM)的預認證樣品，新產品於Ramtron在美國的新晶圓供應源以鐵電記憶體製程生產，具有1萬億次 (1e12)的讀/寫週期、低功耗和無延遲(NoDelay)寫入等特性。
FM25040C、FM25C160C和FM25640C分別是 4、16和 64Kb F-RAM記憶體，能夠以高達20MHz的匯流排速度進行寫入操作，並具有產業標準串列周邊介面(SPI)。F-RAM記憶體陣列在接收到資料後，可立即將資料寫入記憶體；不同於需要資料輪詢的電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM)和其它非揮發性記憶體，F-RAM記憶體可立即開始下一個匯流排週期。這些特性使得Ramtron最新的串列F-RAM記憶體非常適合需要頻繁和快速寫入的非揮發性記憶體應用，包括工業控制和高速資料記錄等應用。
Ramtron的FM25xxxC系列器件具有一個串列SPI介面，工作電壓為5伏特(V)，在-40～+85°C的整個工業溫度範圍內。此外，FM25xxxC系列產品具有低功耗特性，當時脈速率為1MHz 時，有效電流約為250微安培(µA)。以及複雜的寫入保護機制，可防止不經意的記憶體資料寫入。
Ramtron網址：www.ramtron.com