Power Integrations(PI)宣布同意收購垂直氮化鎵(GaN)電晶體技術開發者Odyssey Semiconductor Technologies的資產。這項交易預計將於2024年7月完成，之後Odyssey的所有重要員工預期會加入Power Integrations的技術組織。
此次收購為Power Integrations正在進行之PowiGaN專利技術的開發藍圖提供支援，此項技術應用於該公司諸多產品系列中，包括InnoSwitch IC、HiperPFS-5功率因數修正IC和最近推出的single-stage多輸出IC的InnoMux-2系列。該公司於2023年推出了900伏特和1250伏特版本的PowiGaN技術和產品。
Power Integrations技術部副總裁Radu Barsan博士表示，Power Integration自2018年開始出貨採用PowiGaN技術的產品，正致力推動矽MOSFET的成本平價，並提高PowiGaN的電壓和功率能力。該公司的目標是將一項符合成本效益的高電流和高壓GaN技術商業化，以支援目前由碳化矽(SiC)提供的更高功率應用，而GaN相對於SiC的基本材料優勢，使其能夠以更低的成本和更高的效能實現。Odyssey團隊在高電流垂直GaN方面的經驗將會加强和推進這些工作。
Odyssey的CEO暨共同創辦人Richard Brown博士補充道，作為第一家將高壓GaN商業化的公司，Power Integrations不斷引領產業在成本、電壓和電流以及充分利用GaN能力的系統級產品設計方面推動技術向前發展。