國際整流器(IR)推出IRFHE4250D FastIRFET雙功率金屬氧化物場效電晶體(MOSFET)，藉以擴充功率區塊元件系列。新款25伏特(V)元件在25安培(A)的電流下，能夠比其他頂級的傳統功率區塊產品減少5%以上的功率損耗，適用於先進的電訊與網路通訊設備、伺服器、顯示卡、桌上型電腦、超輕薄筆電(Ultrabook)及筆記型電腦等12V輸入直流對直流(DC-DC)同步降壓應用。
國際整流器(IR)推出IRFHE4250D FastIRFET雙功率金屬氧化物場效電晶體(MOSFET)，藉以擴充功率區塊元件系列。新款25伏特(V)元件在25安培(A)的電流下，能夠比其他頂級的傳統功率區塊產品減少5%以上的功率損耗，適用於先進的電訊與網路通訊設備、伺服器、顯示卡、桌上型電腦、超輕薄筆電(Ultrabook)及筆記型電腦等12V輸入直流對直流(DC-DC)同步降壓應用。
國際整流器亞太區銷售副總裁潘大偉表示，60A額定值的IRFHE4250D FastIRFET MOSFET為首款頂部外露功率區塊元件，提供領先的功率密度，有效滿足要求頂尖效率的高效能DC-DC應用。
IRFHE4250D配備國際整流器新一代矽技術，並採用適合背面貼裝的6×6功率四方平面無接腳封裝(PQFN)頂部外露纖薄封裝，為功率區塊帶來更多封裝選擇。這款封裝結合理想的散熱效能、低導通電阻(Rds(on))及閘極電荷(Qg)，提供超卓的功率密度及較低的開關損耗，從而縮減印刷電路板尺寸，以及提升整體系統效率。
國際整流器網址：www.irf.com