瑞薩電子(Renesas)推出五十六款R8C/Lx系列8位元新型微控制器，與該低耗電K0及K0R微處理器(MCU)同樣提供業界最高等級的超低耗電量，共包含四個產品群，腳位範圍從32～80-pin，並具備高達64KB的可程式快閃記憶體。第一款產品預計於2010年第三季開始提供樣品，並陸續提供其餘產品的樣品。
瑞薩電子(Renesas)推出五十六款R8C/Lx系列8位元新型微控制器，與該低耗電K0及K0R微處理器(MCU)同樣提供業界最高等級的超低耗電量，共包含四個產品群，腳位範圍從32～80-pin，並具備高達64KB的可程式快閃記憶體。第一款產品預計於2010年第三季開始提供樣品，並陸續提供其餘產品的樣品。
除了降低耗用的電流量之外，上述四種產品群更提供多種新功能，有助於降低系統整體耗電量，包括工作電壓1.8伏特(V)之晶片內建快閃記憶體，以及兩種電源關閉模式，可在MCU待機時有效降低耗用的電流量。
透過製程的改善及其他改良，運作時的耗電量每1MHz僅150µA(微安培)，相較於R8C/Lx第一款產品的每1MHz為350µA，約降低達60%，而且待機耗電量低於10奈安培(nA)。
這四種新產品群支援電源關閉模式，可提供更精細的電源控制功能，因此獲得非常良好的回應，而且現在的耗電量比以前降低得更多。在電源關閉模式0中，待機電流量低於10nA，因此可大幅減少待機電流。最新款MCU的運用彈性也持續提升，因為它們能夠在電源關閉模式中維持隨機存取記憶體(RAM)的內容及輸入/輸出(I/O)埠的狀態。
瑞薩電子的R8C/Lx MCU具備兩種晶片內建快閃記憶體類型，一類主要用於儲存程式，另一類用於儲存資料。四種新產品群支援以1.8V電壓刪除、編寫及讀取所有快閃記憶體，可在MCU 1.8～5.5V整個作業電壓範圍內存取快閃記憶體。如此將可簡化電源供應設計，使用較低的電壓，並允許使用單一電源供應器，藉此降低系統的整體耗電量。
資料快閃記憶體(Data Flash)是瑞薩電子獨家研發的特殊類型晶片內建快閃記憶體，用於儲存資料。由於不必使用外部電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM)儲存資料，因此有助於減少外部元件需求的數量。
瑞薩電子網址：www.renesas.com