恩智浦(NXP)推出NextPower系列首款30伏特(V)Power-SO8金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，為業界最低RDSon1.4毫歐姆(mΩ)4.5V MOSFET。全新MOSFET元件PSMN1R0-30YLC，特別針對4.5V開關應用使其最佳化，採用LFPAK封裝技術，為目前業界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術已特別針對高性能DC-DC轉換應用進行最佳化，如獨立電源和電源OR-ing中的同步降壓調節器、同步整流器。
恩智浦(NXP)推出NextPower系列首款30伏特(V)Power-SO8金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，為業界最低RDSon1.4毫歐姆(mΩ)4.5V MOSFET。全新MOSFET元件PSMN1R0-30YLC，特別針對4.5V開關應用使其最佳化，採用LFPAK封裝技術，為目前業界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術已特別針對高性能DC-DC轉換應用進行最佳化，如獨立電源和電源OR-ing中的同步降壓調節器、同步整流器。
技術具備進階的NextPower技術使4.5V閘驅動的低RDSon達到最佳化、Power-SO8封裝具高度可靠性，耐熱溫度高達175℃、低QG、QGD和QOSS達成高度系統效率。此外，PSMN1R0-30YLC是NextPower LFPAK系列中25V和30V MOSFET的首款產品，全系列產品未來將陸續推出。
恩智浦電源MOSFET行銷經理Charles Limonard表示，恩智浦NextPower系列MOSFET將協助設計者達成高性能、小尺寸和低系統成本。恩智浦致力於開發與創新，不斷改善RDSon、開關應用及熱效率等關鍵參數，並進一步推出MOSFET元件。
Limonard亦表示，PSMN1R0-30YLC擁有領先同類型元件的超低RDSon，可明顯降低功耗，並進而提升新一代電子產品的能源效率，達成更高的能源等級及更小的尺寸
恩智浦半導體網址： www.nxp.com