羅姆(ROHM)針對通訊基地台和工控設備等風扇馬達驅動應用，推出將二顆100V耐壓MOSFET一體化封裝的Dual MOSFET新產品。新產品分為HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch)系列和HP8MEx(Nch+Pch)系列，共5款新機型。
近年來，在通訊基地台和工控設備的應用領域，為了降低電流值並提高效率，以往的12V和24V系統逐漸轉換為48V系統，電源電壓呈提高趨勢。此外，用來冷卻上述設備的風扇馬達也是使用48V系統電源，考慮到電壓波動，負責開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。
另一方面，提高耐壓意味著與其難以兼顧的導通電阻也會提高，導致效率變差，因此，如何同時兼顧更高的耐壓和更低的導通電阻，成了一大挑戰。另外，風扇馬達通常會使用多個MOSFET進行驅動，為了節省空間，對於將二顆晶片一體化封裝的Dual MOSFET的市場需求也正不斷增加。
在此背景下，ROHM以全新製程推出Nch和Pch的MOSFET晶片，透過採用散熱性能出色的背面散熱封裝形式，開發出具業界超低導通電阻的新系列產品。
新產品透過ROHM全新製程和背面散熱封裝，實現超低導通電阻(Ron)(Nch+Nch產品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ)。與市場上的Dual MOSFET相比，導通電阻降低達56%，有助降低應用設備功耗。
另外，透過將二顆晶片一體化封裝，可減少安裝面積，有助應用設備節省空間。例如HSOP8封裝產品，若替換掉二顆Single MOSFET(僅內建一顆晶片的TO-252封裝)，將可減少77%的安裝面積。
新產品已於2023年7月開始暫以每月100萬個(樣品價格550日元/個，未稅)的規模投入量產。另外新產品也已開始透過電商平台銷售。