隨著更高密度的低功率 SMPS 設計日益成長，對高壓 MOSFET需求也水漲船高。英飛凌CoolMOS P7系列推出950V CoolMOS P7超接面MOSFET新產品，符合最為嚴格的設計要求：適用於照明、智慧電表、行動充電器、筆電電源供應器、輔助電源供應器，以及工業SMPS應用。此全新半導體解決方案提供優異的散熱與效率表現，可降低物料清單及整體生產成本。
950 V CoolMOS P7 提供DPAK RDS(on)，有助於更高密度的設計。此外，優異的VGS(th)與最低點VGS(th)容許值，讓MOSFET的驅動與設計更為容易。類似於英飛凌領先業界的P7系列的其他產品，此裝置也整合了贊納二極體ESD防護。如此可帶來更好的組裝良率，因此降低成本，並減少ESD 相關生產問題的產生。
950V CoolMOS P7可提升達 1%的效率，MOSFET 溫度降低2至10 ˚C，有助於更高效率的設計。相較於前代CoolMOS產品，此款元件的切換損耗降低達58%，與市場上同類技術相較，改善率超過50%。新款950V CoolMOS P7推出TO-220 FullPAK、TO-251 IPAK LL、TO-252 DPAK 及 SOT-223 封裝，因此可以從 THD 轉換為 SMD 裝置。