賽普拉斯(Cypress)宣布推出新系列1-Mbit序列非揮發性靜態隨機存取記憶體，以及內建即時時脈功能的新款4-Mbit與8-Mbit nvSRAM，該公司的nvSRAM採用其S8 0.13微米矽氧化氮氧化矽嵌入式非揮發性記憶體製造技術，創造出更高密度，並改善存取速度與效能。對於需要絕對非揮發性資料安全性的應用裝置，nvSRAM是理想的解決方案，其中包括磁碟陣列系統、工業控制與自動化、單板電腦、銷售端點管理系統、電子儀表、車用、醫療以及數據通訊系統。
賽普拉斯(Cypress)宣布推出新系列1-Mbit序列非揮發性靜態隨機存取記憶體，以及內建即時時脈功能的新款4-Mbit與8-Mbit nvSRAM，該公司的nvSRAM採用其S8 0.13微米矽氧化氮氧化矽嵌入式非揮發性記憶體製造技術，創造出更高密度，並改善存取速度與效能。對於需要絕對非揮發性資料安全性的應用裝置，nvSRAM是理想的解決方案，其中包括磁碟陣列系統、工業控制與自動化、單板電腦、銷售端點管理系統、電子儀表、車用、醫療以及數據通訊系統。
序列式nvSRAM系列產品內含1-Mbit元件，推出多重組態設定，並配備一個業界標準SPI介面。序列式nvSRAM提供底面積極小的8針腳DFN與16針腳SOIC封裝，運作頻率最高可達40 MHz，其中一款序列nvSRAM還整合一個即時時脈元件。
該公司平行式nvSRAM的存取時間僅有20奈秒，提供無限次數的讀、寫、及召回能力，以及長達20年的資料保存期限，新款4-Mbit與8-Mbit nvSRAM整合一個即時時脈元件，為備份的重要資料提供時間戳記功能，並具備一個可編程警報功能以及監控計時器。
賽普拉斯網址：www.cypress.com