瑞薩電子(Renesas Electronics)與台積電共同宣布雙方已簽署協議，擴大在微控制器(MCU)技術方面的合作；導入40奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程，以生產應用於下一世代汽車及家電等消費性產品的微控制器。
瑞薩電子(Renesas Electronics)與台積電共同宣布雙方已簽署協議，擴大在微控制器(MCU)技術方面的合作；導入40奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程，以生產應用於下一世代汽車及家電等消費性產品的微控制器。
瑞薩電子先前已同意採用台積電90奈米嵌入式快閃記憶體製程，為該公司生產微控制器，在此40奈米微控制器合作案中，瑞薩電子將委託台積電生產40奈米及更先進製程的微控制器。
瑞薩電子與台積電將共同合作在微控制器平台與製造所需的先進技術上取得領先地位，結合瑞薩電子支援高可靠性及高速優勢的金屬氧化氮氧化矽(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon, MONOS)技術與台積電高品質技術的支援，包括先進的互補金屬氧化物半導體(CMOS)製程與靈活的產能調度。
此外，藉由將此MONOS製程平台提供給遍布全球的其他半導體供應商，包括無晶圓廠(Fabless)及整合元件製造商(IDM)，瑞薩電子與台積公司將致力於建置一個設計生態環境，並且擴大客戶群。
瑞薩電子網址：www.tw.renesas.com
台積電網址： www.tsmc.com/chinese/default.htm