Diodes高壓SBR整流器減少電路面積及提高功率密度

2009-05-20
Diodes公司近日推出了新型高壓超級勢壘整流器(SBR)系列中的第一款元件SBR10U200P5,該系列採用專利且高熱效和小巧的PowerDI5封裝,具有完善的低熱阻效能,使SBR10U200P5能夠以比原本小40%的PCB面積實現雙倍的功率密度。
Diodes公司近日推出了新型高壓超級勢壘整流器(SBR)系列中的第一款元件SBR10U200P5,該系列採用專利且高熱效和小巧的PowerDI5封裝,具有完善的低熱阻效能,使SBR10U200P5能夠以比原本小40%的PCB面積實現雙倍的功率密度。

SBR10U200P5正在申請專利中的封裝結構,能夠在緊湊的小尺寸封裝內,實現更高的功率耗散和浪湧效能,達到攝氏一百七十五度的最大額定結溫;額定雪崩(Avalanche)也比採用Dpak封裝的Schottky二極管競爭方案高出50%,SBR10U200P5使緩衝電路可以被移離電源輸出,有助電路設計人員減少產品成本和簡化設計。

SBR10U200P5提供各項先進功能,成為電源輸出級中理想的輸出二極管元件,又可以用作降壓轉換器電路中的鉗位二極管(Catch Diode)、馬達驅動電路中的續流二極管(Freewheeling Diode),或升壓二極管(Boost Diode)。

Diodes網址:www.diodes.com

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