美高森美(Microsemi)宣布在其新一代1200V非擊穿型(Non-punch Through, NPT) 絕緣閘雙極性電晶體IGBT系列中新增十多款全新器件，其中包括額定電流為25安培(A)、50A和70A的器件。
美高森美(Microsemi)宣布在其新一代1200V非擊穿型(Non-punch Through, NPT) 絕緣閘雙極性電晶體IGBT系列中新增十多款全新器件，其中包括額定電流為25安培(A)、50A和70A的器件。
美高森美的NPT IGBT產品系列是針對各式各樣需要大功率和高性能的工業應用而設計的，最新的器件非常適合電焊機、太陽能逆變器，以及不斷電供應系統和開關電源。1200V產品系列中的所有器件均以美高森美先進的Power MOS 8技術為基礎，相較於其他的競爭解決方案，總體開關和導通損耗顯著地降低至少20%。
美高森美新的NPT IGBT解決方案與該產品系列中的所有器件一樣，可與美高森美的FRED或碳化矽肖特基二極體封裝在一起，以便為工程師提供高整合度的解決方案，從而簡化產品的開發工作。
美高森美網址：www.microsemi.com