英飛凌科技 (infineon) 於去年 PCIM 展會發表的全 SiC 模組 EASY 1B產品進入量產。在今年德國紐倫堡 PCIM 展會上，英飛凌展示了其他 1200 V CoolSiC MOSFET 系列的模組平台和拓樸，將碳化矽技術的潛力發揮到全新境界。
英飛凌科技 (infineon) 於去年 PCIM 展會發表的全 SiC 模組 EASY 1B產品進入量產。在今年德國紐倫堡 PCIM 展會上，英飛凌展示了其他 1200 V CoolSiC MOSFET 系列的模組平台和拓樸，將碳化矽技術的潛力發揮到全新境界。
英飛凌工業電源控制事業處總裁 Peter Wawer 表示，碳化矽已經來到一個轉捩點，考量其成本效益分析，這項技術已準備好投入各種應用領域。該冀望SiC 產品系列也將創下相同佳績，而且勢在必得。
新款1200 V SiC MOSFET結合高可靠度和卓越效能，動態損耗比1200 V矽IGBT降低了一個數量級。首批產品將用於支援包括光伏逆變器、不斷電系統(UPS)以及充電器/儲能系統等應用的系統性挑戰。新的配置組態也將促成各種應用的全新解決方案，包括工業馬達驅動、醫療技術或鐵道用輔助電源供應等。
採用溝槽式技術1200 V SiC MOSFET主要優點在於更強大的耐用性，這是由於更低的失效率 (FIT) 和出色的短路容量可滿足個別應用的不同需求。產品的4 V閾值電壓 (Vth)和+15V建議閘極電壓(VGS) 使電晶體可如 IGBT 一般接受控制，並於故障發生時安全斷開。SiC MOSFET 可提供極快的切換瞬變。此外，該公司的技術可透過閘極串聯電阻來促進瞬變調整的簡易度，進而輕鬆實現最佳化的 EMC 特性。