國際整流器(IR)推出DirectFETplus功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列，特別結合了IR新一代的矽，為12伏特輸入同步降壓應用，包括下一代伺服器、桌面電腦和筆記本電腦，建立了新的效率標準。
國際整流器(IR)推出DirectFETplus功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列，特別結合了IR新一代的矽，為12伏特輸入同步降壓應用，包括下一代伺服器、桌面電腦和筆記本電腦，建立了新的效率標準。
IRF6811和IRF6894是新系列DirectFETplus的首兩款元件，較上一代元件減少了導通電阻和閘電荷(Qg)，使其效率大幅提高達2%。此外，該元件提供超低閘電阻(Rg)，透過把直流轉直流(DC-DC)轉換器的開關損耗減至最少，進一步改善其效率。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示，新IRF6811和IRF6894晶片組利用IR的DirectFET封裝技術，以及結合新一代的矽元件來優化關鍵的MOSFET參數，為下一代計算需求提供效能卓越、可靠性高及占位空間小的最佳解決方案。
IRF6811控制MOSFET及IRF6894同步MOSFET分別以小罐及中罐供貨。25伏特 DirectFETplus組結合了領先業界的和Rg，且糅合了低電荷來把傳導和開關損耗減到最少。IRF6894還設有整合式單片蕭特基二極管，減少由體二極管傳導和逆向復原導致的損耗。新型DirectFETplus MOSFET與上一代元件的占位面積兼容。
國際整流器網址：www.irf.com