如今，許多工業應用可以透過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水準過渡。為滿足這一需求，英飛凌(Infineon)推出CoolSiC蕭特基二極體2000V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000V的分立式SiC二極體。該產品系列適用於直流母線電壓達1500 VDC的應用，額定電流為10A至80A，是光伏、電動車充電等高直流母線電壓應用的良好選擇。
新款產品系列採用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，間隙距離為5.4mm，再加上達80A的額定電流，顯著提升了功率密度。它使開發人員能夠在應用中實現更高的功率水準，而元件數量僅為1200V SiC解決方案的一半。這簡化了整體設計，實現了從多電平拓撲結構到2電平拓撲結構的平穩過渡。
此外，CoolSiC蕭特基二極體2000V G5採用.XT互連技術，大大降低熱阻和阻抗，實現了更好的熱管理。此外，HV-H3TRB可靠性測試也證明了該二極體對濕度的耐受性。該二極體沒有反向或正向恢復電流，且具有正向低電壓的特點，確保系統性能更優。
2000V二極體系列與英飛凌於2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封裝的CoolSiC MOSFET 2000V完美適配。CoolSiC二極體2000V產品組合將透過提供TO-247-2封裝而得到擴展，該封裝將於2024年12月推出。此外，英飛凌還提供了與CoolSiC MOSFET 2000V匹配的閘極驅動器產品組合。
採用TO-247PLUS-4 HCC封裝的CoolSiC蕭特基二極體2000V G5系列及其評估板現已上市。