飛思卡爾日前發表商用磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件，並已投入量產。飛思卡爾的4百萬位元MRAM產品是一款耐用性極佳的高速非揮發性記憶體，該元件係以一百多項飛思卡爾的MRAM專利技術為基礎，其中也包括交替位元轉換(Toggle-bit Switching)技術。
飛思卡爾日前發表商用磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件，並已投入量產。飛思卡爾的4百萬位元MRAM產品是一款耐用性極佳的高速非揮發性記憶體，該元件係以一百多項飛思卡爾的MRAM專利技術為基礎，其中也包括交替位元轉換(Toggle-bit Switching)技術。
MRAM將磁性材質與傳統矽晶電路結合，在單一元件中提供具備SRAM速度等級的非揮發性快閃記憶體。飛思卡爾成功推出此項技術的商業應用後，便可促使新一代的電子產品在尺寸、成本、功率消耗及系統性能上獲致重大的進展。
這款名為MR2A16A的飛思卡爾首創商用MRAM產品，非常適合用於網路、安全、資料儲存、娛樂遊戲及印表機等多種應用。該元件在設計上，便是希望成為可靠、經濟的單一元件，以取代使用電池驅動的SRAM裝置。本元件也可用於緩衝記憶體、組態儲存記憶體，以及各種需要高速、彈性及非揮發性MRAM的應用。
MR2A16A是一款適合商用溫度範圍、3.3伏特的元件，其讀寫循環僅需35奈秒。它屬於非同步式記憶體，其結構係以每16位元為一單位、總共256K 字。其符合業界標準的SRAM腳位安排，可增加系統設計的彈性、而不會發生匯流排衝突(Bus Contention)的情形。該元件採用400毫米的TSOP type-II RoHS封裝。其封裝則是在飛思卡爾位於亞利桑那州的Chandler 200毫米晶圓廠完成，目前已經開始供應MR2A16A MRAM，建議零售價為每1,000顆25美元。
飛思卡爾網址：www.freescale.com