英飛凌正持續擴展其CoolSiC JFET產品組合，以滿足AI資料中心不斷增長的需求，並積極回應電源保護技術向固態化發展的趨勢。在此基礎上，英飛凌為CoolSiC JFET產品組合增添新的元件、封裝選項和配置，旨在為高性能的供電系統和用電保護系統提供支援。公司於去年推出的首批採用Q-DPAK封裝的750 V和1200 V CoolSiC JFET元件現已進入量產階段。在PCIM Europe 2026展會上，英飛凌還將展出更多的封裝選項以及常關型(normally-off)CoolSiC JFET元件，進一步鞏固和增強其離散元件產品組合，以滿足固態斷路器(SSCB)、電池開關以及AI資料中心供電架構等應用需求，涵蓋電源供應單元(PSU)、備電單元(PBU)，以及中間匯流排轉換器(IBC)熱插拔和eFuse設計。
在上述應用中，功率半導體元件通常處於導通狀態，其故障等意外情況發生頻率低且持續時間短。因此，導通損耗、線性模型強固性以及雪崩能力成為工程師關注的關鍵設計參數。為了滿足上述需求，英飛凌推出了採用業內廣泛使用的TO-247-4封裝的1200 V CoolSiC JFET元件。該元件的導通電阻(RDS(on))最低可至5.0 mΩ，能夠在無需重新設計PCB的情況下，直接替換採用標準通孔封裝的現有SiC MOSFET設計。此外，英飛凌還透過新增常關型CoolSiC JFET元件配置，將CoolSiC JFET元件與英飛凌的OptiMOS低壓Si MOSFET整合在單個封裝中，進一步擴展了CoolSiC JFET的產品組合：
- 雙路驅動(Dual Drive )配置可分別接入SiC JFET和Si MOSFET的閘極，從而在整個PCB層面實現全面控制並提高設計靈活性。該配置還支援在VGS = 2 V的條件下過驅(overdrive)運行，可將導通電阻(RDS(on))降低約10%。其中，750 V的產品型號提供TOLL封裝和Q-DPAK封裝兩個封裝選項，而1200 V的產品型號則採用Q-DPAK封裝。
- 共源共閘(Cascode)配置在元件內部整合了SiC JFET的閘極，但僅對外引出MOSFET的閘極。這使其能夠與標準閘極驅動配合，實現簡單的隨插即用操作，無需專用電路。該配置適用於對開關損耗和導通損耗要求都較為嚴格的應用場景。750 V的產品型號採用TOLL封裝。
已量產的採用Q-DPAK封裝的CoolSiC JFET元件中，750 V的產品型號導通電阻低至1.6 mΩ，1200 V的產品型號導通電阻低至2.3 mΩ，在相同電壓等級的SiC元件中處於最低水準。
所有元件均採用了英飛凌的 .XT互連技術和擴散焊工藝，能夠提升元件在脈衝和迴圈負載工作條件下的熱性能與可靠性。這些元件均在實際工作條件下經過驗證，即使在超載和故障等情況下仍能可靠運行。基於CoolSiC JFET的固態保護方案，其開關速度相較於機電系統快了數個數量級，可以有效降低損壞風險、縮短故障停機時間並延長系統使用壽命。在AI資料中心中，這種故障隔離能力有助於保護高價值的計算與記憶體資產，同時支援更高的功率密度與更長的系統執行時間。在固態斷路器、繼電器和電池管理系統等工業級應用中，CoolSiC JFET元件能夠在快速切斷故障的同時，確保元件在導通狀態下的長期可靠性。
英飛凌目前能夠提供廣泛的CoolSiC JFET離散元件產品組合，涵蓋的產品型號眾多，分別採用Q-DPAK封裝、TO-247-4封裝和TOLL封裝等不同的封裝方式，以及常開型(normally-on)、雙驅動和共源共閘等多種配置，可支援較寬的導通電阻範圍、閘極驅動方案及組裝需求，並延續了CoolSiC系列產品一貫的高可靠性優勢。
採用Q-DPAK封裝的750 V和1200 V CoolSiC JFET元件將於2026年投入量產。採用TO-247-4封裝以及採用雙驅動和共源共閘配置的其他產品型號，目前已經可以針對客戶提供工程樣品，並將在2026年投入量產。