德州儀器(TI)宣布將在猶他州Lehi興建下一座12吋半導體晶圓製造廠(或晶圓廠)。新廠將座落在公司現有12吋半導體晶圓廠LFAB旁。一旦完工，TI的兩座Lehi晶圓廠將合併為一座晶圓廠營運。
TI執行副總裁兼營運長暨下一任總裁兼執行長Haviv Ilan表示，這座新晶圓廠是12吋晶圓製造長期規劃的一環，旨在建構TI的客戶未來幾十年所需的產能。TI決定在Lehi興建第二座晶圓廠，彰顯了TI對猶他州的承諾，也證明該地才華橫溢的團隊將為TI未來的另一個重要篇章奠定基礎。隨著半導體在電子領域如預期地成長，尤其是在工業和汽車領域，以及《晶片與科學法》(CHIPS and Science Act)的通過，現在是進一步投資TI內部製造產能的最佳時機。
具有里程碑意義的110億美元投資，也代表著猶他州歷史上最龐大的經濟投資。Lehi晶圓廠的擴建將創造大約800個TI新職缺，以及數千個間接的就業機會。另外，TI期待強化與猶他州高山學區(Alpine School District)的合作夥伴關係，並將投資900萬美元來提升學生未來的機會和成就。
Lehi因為具備技能熟練的人才、穩固的基礎設施和緊密的社區夥伴網絡，是理想的新廠設置地點。新廠預期將於每天生產數千萬組類比與嵌入式處理晶片，供應世界各地的電子產品製造商。新廠房的設計將符合建築認證的結構效率與永續性的高級評等，也就是能源與環境設計領導認證(LEED)金級認證。
新廠預計於2023年下半年開始興建，最早將於2026年投入生產，其成本已包含在TI先前所宣布用於擴大製造產能的資本支出計畫中。新廠將進一步強化TI現有12吋晶圓廠產能的規劃，其包括DMOS6(Dallas)、RFAB1和RFAB2(均位於德州Richardson)和LFAB(猶他州Lehi)。TI也在德州Sherman建造了四座新的12吋晶圓廠。