由英特爾(Intel)和美光合資的IM快閃記憶體技術(IM Flash Technologies-IMFT)同時宣布其64Gb/20nm NAND裝置已正式量產。
由英特爾(Intel)和美光合資的IM快閃記憶體技術(IM Flash Technologies-IMFT)同時宣布其64Gb/20nm NAND裝置已正式量產。
美光NAND解決方案事業群副總裁Glen Hawk表示，由於可攜式設備體積變得越來越小、造型越來越優美，對伺服器要求也越來越高，公司的客戶希望美光的創新儲存技術和系統解決方案能應對這些挑戰，因此我們與英特爾的合作將繼續提供領先的NAND技術和專業知識，讓客戶的產品更具競爭力。
英特爾和美光合資的IM快閃記憶體技術開發的新款20nm/128Gb單片裝置是業界唯一能存儲1TB資料的元件，在其僅僅指尖大小的空間內封裝八片裸片。新款20nm/128Gb MLC NAND裝置的儲存容量和性能是IMFT現有20nm/64Gb NAND裝置的兩倍。該128Gb裝置滿足高速ONFI 3.0規範的要求，可達到333MT/s的傳輸率，為客戶提供更具成本效益，且超薄、流線造型產品設計，例如平板電腦、智慧型手機和大容量固態硬碟(SSD)等。
美光網址：www.micron.com