美高森美(Microsemi)推出新一代1,200伏特(V)非貫穿型(NPT)系列三款絕緣閘雙極電晶體(IGBT)新產品--APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。
美高森美(Microsemi)推出新一代1,200伏特(V)非貫穿型(NPT)系列三款絕緣閘雙極電晶體(IGBT)新產品--APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。
NPT系列產品的所有元件均採用美高森美Power MOS 8技術，整體開關和導通損耗比競爭解決方案顯著降低20%或以上。這些絕緣閘雙極電晶體元件專為如焊接機、太陽能逆變器和不斷電與開關電源等高功率的高性能開關模式產品而設計。
美高森美的1,200伏特解決方案可與其快速恢復二極體(FRED)或碳化矽蕭特基(Schottky)二極體組合封裝，為工程師提供高整合度解決方案，以便簡化產品開發工作。
此外，美高森美將於短期內提供採用SOT-227封裝的APT85GR120JD60元件，包含採用美高森美專有DQ系列低開關損耗、額定雪崩能量二極體技術製造的60安培(A)反向平行(Anti-parallel)超快速恢復二極體。
美高森美網址：www.microsemi.com