英特爾(Intel)宣布重大基礎電晶體設計突破，以兩種全新材料製作45奈米電晶體絕緣層(Insulating Wall)和開關閘極(Switching Gate)，下一代英特爾酷睿2雙核心處理器(Intel Core 2 Duo)、酷睿2四核心處理器(Core 2 Quad)和Xeon多核心處理器系列，將使用上億個此超小型電晶體或開關。英特爾表示，該公司正試產及測試5款初期版本產品，即15款45奈米處理器產品計畫中的第一批。
英特爾(Intel)宣布重大基礎電晶體設計突破，以兩種全新材料製作45奈米電晶體絕緣層(Insulating Wall)和開關閘極(Switching Gate)，下一代英特爾酷睿2雙核心處理器(Intel Core 2 Duo)、酷睿2四核心處理器(Core 2 Quad)和Xeon多核心處理器系列，將使用上億個此超小型電晶體或開關。英特爾表示，該公司正試產及測試5款初期版本產品，即15款45奈米處理器產品計畫中的第一批。
新型電晶體將使英特爾個人電腦、筆記型電腦和伺服器處理器執行速度持續突破，並減少電晶體漏電(Electrical Leakage)，漏電將阻礙晶片和個人電腦的設計、大小、耗電量、雜訊與成本的開發。
英特爾採用被稱為high-k的新材料來製作電晶體閘極電介質(Transistor Gate Dielectric)，而電晶體閘極的電極(Transistor Gate Electrode)也將搭配採用新的金屬材料組合製作 45奈米產品。電晶體即超小型開關，負責處理數位0和1，閘極負責開啟和關閉電晶體，而閘極電介質則為閘極下的絕緣層，隔離閘極和電流流動通路，金屬閘極和high-k 閘極電介質的組合可產出漏電極低且效能佳的電晶體。
45奈米製程能增加驅動電流20%以上，源極-汲極(Source-drain)漏電則減少5倍以上，改善電晶體耗電量。與前一代技術相較， 45奈米製程也改善電晶體密度近兩倍，因此得以增加處理器之電晶體總數或縮小處理器體積，且因45奈米電晶體比前一代製品更小，開關時所需電力更低，因此在開關運作時耗電量減少近30%，英特爾將在45奈米的內部連接線(Interconnects)採銅線搭配low-k電介質，以提升效能並降低耗電量，並將193奈米乾式微影技術(Dry Lithography)延伸應用於45奈米處理器上，以善用其成本優勢和高易製性。
英特爾網址：www.intel.com