香港商富士通亞太電子台灣分公司宣布，富士通成功開發具有4Mbit記憶容量的全新鐵電隨機存取記憶體(FRAM)產品MB85RQ4ML，此產品於四線SPI介面非揮發性RAM市場中擁有最高密度。
香港商富士通亞太電子台灣分公司宣布，富士通成功開發具有4Mbit記憶容量的全新鐵電隨機存取記憶體(FRAM)產品MB85RQ4ML，此產品於四線SPI介面非揮發性RAM市場中擁有最高密度。
MB85RQ4ML採用單一1.8V電源供電，使用具有四個I/O pin的四線SPI介面，並能達到每秒54Mit/s的資料傳輸速率。此產品具高速運算能力與非揮發性記憶體特性，因此特別適用於網路建置、RAID控制器及工業運算等領域。
富士通充分運用FRAM的非揮發性、高速讀寫週期、高讀寫耐用度及低功耗特性，為穿戴式市場及物聯網市場帶來使用FRAM的免電池解決方案。為滿足市場對非揮發性RAM介面速度提升的迫切需求，富士通目前已成功開發MB85RQ4ML 4Mbit FRAM，在FRAM產品線中擁有最高資料傳輸速度。
仰賴巨量資料處理能力的物聯網市場，隨著資料處理量不斷增加，記憶體亦必須頻繁地執行資料重寫；此外，從安全觀點來看，保留存取記錄也將更受到重視。有鑑於此，此產品能透過保留網路領域中存取資訊而促進設備效能的改善。
香港商富士通亞太電子台灣分公司網址:http://www.fujitsu.com/tw/products/devices/semiconductor