瑞薩科技公司發表12款適用於隔離式DC-DC整流器之第十代功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，可用於伺服器、通訊設備、工業設備等電源供應器，新推出的功率金屬氧化物半導體場效電晶體可降低開關損耗，提升能源效率並涵蓋多種電壓範圍(40伏特、60伏特、80伏特、100伏特)。
瑞薩科技公司發表12款適用於隔離式DC-DC整流器之第十代功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，可用於伺服器、通訊設備、工業設備等電源供應器，新推出的功率金屬氧化物半導體場效電晶體可降低開關損耗，提升能源效率並涵蓋多種電壓範圍(40伏特、60伏特、80伏特、100伏特)。
上述十二款新產品所採用的第十代製程，在先前針對導通電阻而設計的功率金屬氧化物半導體場效電晶體(主要用於非隔離式DC-DC整流器)產品中已證實其優點，並且經過最佳化，相較於瑞薩過去的產品，最高可使汲閘負載電容(Qgd)降低 50%，汲閘負載電容(Qgd)是使功率金屬氧化物半導體場效電晶體達到低開關耗損的關鍵特性，另外，高效能封裝可降低封裝阻抗並提升散熱特性，進一步提升產品效能，使隔離式DC-DC整流器達到更高的效率並降低耗電量。
瑞薩網址：www.tw.renesas.com