恩智浦(NXP)宣布推出採用DFN2020-6(SOT1118)無鉛塑膠封裝的精巧型中功率電晶體和N-channel Trench金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品PBSM5240PF。DFN2020-6(SOT1118)無鉛塑膠封裝面積僅2毫米(mm)×2毫米，高度為0.65毫米，特別針對目前行動設備等高性能消費產品的微型化發展趨勢而設計。
恩智浦(NXP)宣布推出採用DFN2020-6(SOT1118)無鉛塑膠封裝的精巧型中功率電晶體和N-channel Trench金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品PBSM5240PF。DFN2020-6(SOT1118)無鉛塑膠封裝面積僅2毫米(mm)×2毫米，高度為0.65毫米，特別針對目前行動設備等高性能消費產品的微型化發展趨勢而設計。
作為業界首款整合低VCE(Sat)小訊號電晶體(BISS)和Trench MOSFET的二合一型產品，PBSM5240PF不但可節省印刷電路板(PCB)板空間，同時具備出色的性能。傳統的BISS/MOSFET解決方案通常需採用兩個封裝，相較之下PBSM5240PF可減少超過50%的電路板占用面積，同時使封裝高度降低10%以上。此外，DFN2020-6(SOT1118)封裝亦整合一個散熱器，使散熱性能提升25%，進而可支援高達2安培(A)的電流，並達成較低的功耗。
PBSM5240PF可做為可攜式電池充電電路的一部分，適用於手機、MP3播放器以及其他可攜式設備。也可應用於需要出色散熱性能、較高電流支援與占用面積小的負載開關或電池驅動設備中。
恩智浦網址：www.nxp.com