微芯(Microchip)發布SST26WF080B和SST26WF040B新元件，擴展旗下1.8伏特(V)四個串列式I/O SuperFlash記憶體家族。新元件備有4Mb及8Mb的儲存容量，採用微芯高性能SuperFlash技術製造，可提供業界快速抹除效能和可靠性。
微芯(Microchip)發布SST26WF080B和SST26WF040B新元件，擴展旗下1.8伏特(V)四個串列式I/O SuperFlash記憶體家族。新元件備有4Mb及8Mb的儲存容量，採用微芯高性能SuperFlash技術製造，可提供業界快速抹除效能和可靠性。
微芯儲存產品部副總裁Randy Drwinga表示，微芯為1.8伏特低功耗四個串列式I/O產品線新增的SST26WF080B/040B SuperFlash元件，為客戶帶來高速快閃記憶體解決方案，憑藉小尺寸和低功耗的特性，新元件可謂包括物聯網應用在內的新一代便攜嵌入式設計的理想選擇。
SST26WF080B/040B擁有卓越品質和可靠性，資料保存時間長達百年，且可抹/寫次數超過十萬次，耐用性極高。此外，其安全性也得到進一步增強，包括針對各獨立區塊的軟體防寫，上述這些特性有助防止未經授權的存取，以及其他惡意讀取、燒錄和抹除的意圖。
微芯網址：www.microchip.com