意法半導體(STMicroelectronics)推出一款新的功率MOSFET-STV300NH02L，具有極低的微歐姆導通電阻特性，對要求嚴格的電源供應系統而言，將有助於降低損耗並提升效率。此新推出的高電流N-channel MOSFET是專為並聯供電而設計的，並聯供電廣泛使用在伺服器應用以提升系統可靠性。
意法半導體(STMicroelectronics)推出一款新的功率MOSFET-STV300NH02L，具有極低的微歐姆導通電阻特性，對要求嚴格的電源供應系統而言，將有助於降低損耗並提升效率。此新推出的高電流N-channel MOSFET是專為並聯供電而設計的，並聯供電廣泛使用在伺服器應用以提升系統可靠性。
意法半導體開發出一項創新的Ribbon-bonding技術，典型導通電阻Rds(On)極低，只有800微歐姆(0.8毫歐姆)，為高電流的MOSFET設立一個新工業基準。 這款20伏特的產品是降低高效能DC/DC轉換器二次側功耗(Secondary Rectification Losses)的理想選擇，提供卓越的短路保護功能及極短的Td(Off)(Turn-off Time)。
並聯供電常使用於關鍵系統以提供備用的電源供應，或用於提升電源輸出功率。 以前二極體常被使用在這個功能，為達到更高效能， MOSFET現已取代二極體。如今功耗極低的STV300NH02L在電源效率上又顯著地向前邁出一大步。
意法半導體網址：www.st.com