德州儀器(TI)宣布推出業界第一款80V、10A整合氮化鎵(GaN)場效應電晶體(FET)功率級原型機，此原型機由一個高頻驅動器和兩個採用半橋配置的GaN FET組成，皆在一個設計簡單的四方平面無接腳(QFN)封裝內。
德州儀器(TI)宣布推出業界第一款80V、10A整合氮化鎵(GaN)場效應電晶體(FET)功率級原型機，此原型機由一個高頻驅動器和兩個採用半橋配置的GaN FET組成，皆在一個設計簡單的四方平面無接腳(QFN)封裝內。
TI高壓電源解決方案業務部副總裁Steve Lambouses表示，GaN型電源設計的一大障礙曾經是驅動GaN FET的不確定性。TI將提供優化整合模組、驅動器和高頻控制器所組成的可靠電源轉換生態系統，幫助設計人員認識GaN技術在電源應用方面的全部潛能。
一般情況下，使用GaN FET在高頻下進行開關的設計人員，必須謹慎對待電路板配置布線，以避免振鈴和電磁干擾(EMI)。TI的LMG5200雙80V功率級原型機簡化了這個問題，並透過減少關鍵閘極驅動迴路中的封裝寄生電感，來增加功率級效率。
德州儀器網址：www.TI.com